Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    32 left arrow 43
    Wokół strony -34% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.4 left arrow 11.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    16.3 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.4 left arrow 19.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.7 left arrow 16.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1823 left arrow 3726
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania