RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3726
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link