RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3859
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link