RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3291
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link