RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2532
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link