RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.1
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2532
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link