RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2561
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link