RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
2319
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link