RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
38
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3055
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link