RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
66
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
66
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1877
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link