RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
66
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
66
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
1877
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link