RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3142
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link