RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2429
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link