RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
59
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2286
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link