RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
59
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
51
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2286
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link