RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
59
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2285
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link