RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
59
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3042
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link