RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
59
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3042
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link