RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2783
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link