RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2851
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link