RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3599
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link