RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3599
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link