RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2577
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link