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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,241.0
14.6
写入速度,GB/s
1,950.7
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2577
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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