RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1921
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link