RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1858
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link