Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    46 left arrow 73
    Wokół strony 37% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 15.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.1 left arrow 1,519.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 3200
    Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 73
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,909.8 left arrow 15.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,519.2 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    241 left arrow 1843
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania