Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

总分
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    46 left arrow 73
    左右 37% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 15.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 3200
    左右 6.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 73
  • 读取速度,GB/s
    2,909.8 left arrow 15.2
  • 写入速度,GB/s
    1,519.2 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 1843
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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