RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3606
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link