RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
4207
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Catalyst 256NU8 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link