RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
77
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2501
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link