RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
77
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2501
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link