RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3131
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link