RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3049
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link