RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3049
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link