RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
77
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2025
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link