RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2587
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link