RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2587
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link