Porównanie pamięci RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 15.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,622.0 12.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 77

Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

23400 5300

Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

763 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns