RAM-Vergleich Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Gesamtnote

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 15.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,622.0 12.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 77

Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 5300

Rund um 4.42 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

763 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns