RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2471
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link