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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
17.6
13.7
写入速度,GB/s
12.0
9.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2471
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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