RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3762
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link