RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
17.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3762
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link