RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2846
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link