RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
18.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3341
3831
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link