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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
比较
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
13.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
18.5
20.0
写入速度,GB/s
13.8
15.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3341
3831
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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