RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3595
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link