RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3595
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link