RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2346
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link